ON Semiconductor NE5230DR2G IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

NE5230DR2G

IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC

Hissə nömrəsi

NE5230DR2G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Cari - Təchizat

1.1mA

İşləmə temperaturu

0°C ~ 70°C

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Çıxış növü

Rail-to-Rail

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOIC

Dövrələrin sayı

Gücləndirici növü

General Purpose

Cari - Çıxış / Kanal

32mA

Dönmə dərəcəsi

0.25 V/µs

-3db bant genişliyi

Gərginlik - Təchizat, Tək/İkili (�)

1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V

Bant genişliyi məhsulu qazanın

600kHz

Cari - Giriş meyli

40nA

Gərginlik - Giriş Ofseti

400µV

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15411 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NE521DG

IC COMPARATOR DUAL DIFF 14-SOIC