ON Semiconductor NTLJD3115PT1G MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

NTLJD3115PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Hissə nömrəsi

NTLJD3115PT1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-WDFN Exposed Pad

Güc - Maks

710mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WDFN (2x2)

FET növü

2 P-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.3A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

531pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12636 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN