ON Semiconductor NTLJF3118NTAG MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NTLJF3118NTAG

MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Hissə nömrəsi

NTLJF3118NTAG

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-WDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WDFN (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Isolated)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

271pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 28435 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN