ON Semiconductor NTP8G202NG MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NTP8G202NG

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Hissə nömrəsi

NTP8G202NG

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Last Time Buy

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

GaNFET (Gallium Nitride)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220-3

Gücün Dağılması (Maks.)

65W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 5.5A, 8V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.6V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

760pF @ 400V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

±18V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12283 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTP85N03

MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB