ON Semiconductor NVGS5120PT1G MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NVGS5120PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Hissə nömrəsi

NVGS5120PT1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-TSOP

Gücün Dağılması (Maks.)

600mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

111 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

18.1nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

942pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9475 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NVGS3130NT1G

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP