ON Semiconductor NVMS5P02R2G MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NVMS5P02R2G

MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC

Hissə nömrəsi

NVMS5P02R2G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOIC

Gücün Dağılması (Maks.)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.95A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1900pF @ 16V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34739 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NVMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC