ON Semiconductor RFD3055LE MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RFD3055LE

MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK

Hissə nömrəsi

RFD3055LE

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-251AA

Gücün Dağılması (Maks.)

38W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

107 mOhm @ 8A, 5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

350pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48555 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RFD3055

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK