Renesas Electronics America H7N1002LS-E MOSFET N-CH 100V LDPAK

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

H7N1002LS-E

MOSFET N-CH 100V LDPAK

Hissə nömrəsi

H7N1002LS-E

İstehsalçı/Brend

Renesas Electronics America

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SC-83

Təchizatçı Cihaz Paketi

4-LDPAK

Gücün Dağılması (Maks.)

100W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

75A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

155nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

9700pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48600 PCS

Əlaqə məlumatı