Renesas Electronics America RQK0607AQDQS#H1 MOSFET N-CH

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RQK0607AQDQS#H1

MOSFET N-CH

Hissə nömrəsi

RQK0607AQDQS#H1

İstehsalçı/Brend

Renesas Electronics America

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-243AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

UPAK

Gücün Dağılması (Maks.)

1.5W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.4A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

170pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 14982 PCS

Əlaqə məlumatı