Rohm Semiconductor BS2100F-E2 IC DVR IGBT/MOSFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET

Hissə nömrəsi

BS2100F-E2

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Giriş növü

Non-Inverting

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOP

Gərginlik - Təchizat

10 V ~ 18 V

Kanal Tipi

Independent

İdarəetmə Konfiqurasiyası

Half-Bridge

Sürücülərin sayı

Qapı Tipi

N-Channel MOSFET

Məntiq gərginliyi - VIL, VIH

1V, 2.6V

Cari - Pik Çıxış (Mənbə, Sink)

60mA, 130mA

Yüksək yan gərginlik - Maks (Bootstrap)

600V

Yüksəlmə / Payız vaxtı (tip)

200ns, 100ns

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 46825 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET