Rohm Semiconductor HP8K22TB 30V NCH NCH MID POWER MOSFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

HP8K22TB

30V NCH NCH MID POWER MOSFET

Hissə nömrəsi

HP8K22TB

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Güc - Maks

25W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-HSOP

FET növü

2 N-Channel (Half Bridge)

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

27A, 57A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1080pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32428 PCS

Əlaqə məlumatı