Rohm Semiconductor R6076MNZ1C9 MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

R6076MNZ1C9

MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

Hissə nömrəsi

R6076MNZ1C9

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247

Gücün Dağılması (Maks.)

740W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

76A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

115nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

7000pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36035 PCS

Əlaqə məlumatı