Rohm Semiconductor R8002ANX MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

R8002ANX

MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM

Hissə nömrəsi

R8002ANX

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220FM

Gücün Dağılması (Maks.)

35W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

800V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

12.7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

210pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 11882 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

R8002ANJFRGTL

R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W