Rohm Semiconductor RD3S100CNTL1 NCH 190V 10A POWER MOSFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RD3S100CNTL1

NCH 190V 10A POWER MOSFET

Hissə nömrəsi

RD3S100CNTL1

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252

Gücün Dağılması (Maks.)

85W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

190V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

52nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9631 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RD3S075CNTL1

NCH 190V 7.5A POWER MOSFET