Rohm Semiconductor RDD022N60TL MOSFET N-CH 600V CPT

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RDD022N60TL

MOSFET N-CH 600V CPT

Hissə nömrəsi

RDD022N60TL

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

CPT3

Gücün Dağılması (Maks.)

20W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

6.7 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.7V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

175pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36686 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RDD020N50TL

MOSFET N-CH 500V 2A CPT3