Rohm Semiconductor RJP020N06T100 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RJP020N06T100

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

Hissə nömrəsi

RJP020N06T100

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-243AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

MPT3

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

10nC @ 4V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

160pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8031 PCS

Əlaqə məlumatı