Rohm Semiconductor RQ7E110AJTCR NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RQ7E110AJTCR

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Hissə nömrəsi

RQ7E110AJTCR

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SMD, Flat Lead

Təchizatçı Cihaz Paketi

TSMT8

Gücün Dağılması (Maks.)

1.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 4.5A, 11V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2410pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35256 PCS

Əlaqə məlumatı