Rohm Semiconductor RRS110N03TB1 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RRS110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

RRS110N03TB1

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOP

Gücün Dağılması (Maks.)

2W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

33nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50131 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RRS100N03TB1

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC