Rohm Semiconductor RSJ10HN06TL MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RSJ10HN06TL

MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

Hissə nömrəsi

RSJ10HN06TL

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

LPTS

Gücün Dağılması (Maks.)

100W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

202nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

11000pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 28252 PCS

Əlaqə məlumatı