Rohm Semiconductor RW1C020UNT2R MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RW1C020UNT2R

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Hissə nömrəsi

RW1C020UNT2R

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WEMT

Gücün Dağılması (Maks.)

400mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

180pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 49639 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RW1C015UNT2R

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6