Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RW1E025RPT2CR

MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Hissə nömrəsi

RW1E025RPT2CR

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WEMT

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

480pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 31074 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RW1E014SNT2R

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6