Rohm Semiconductor SCT3060ALGC11 MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SCT3060ALGC11

MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Hissə nömrəsi

SCT3060ALGC11

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

SiCFET (Silicon Carbide)

İşləmə temperaturu

175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247N

Gücün Dağılması (Maks.)

165W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

39A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

78 mOhm @ 13A, 18V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5.6V @ 6.67mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

58nC @ 18V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

852pF @ 500V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

18V

Vgs (Maks.)

+22V, -4V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9513 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SCT300-300

CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP

Panduit Corp

SCT3022ALGC11

MOSFET NCH 650V 93A TO247N