STMicroelectronics STI11NM80 MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

STI11NM80

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Hissə nömrəsi

STI11NM80

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

MDmesh™

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

I2PAK (TO-262)

Gücün Dağılması (Maks.)

150W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

800V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

43.6nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1630pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32443 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STI100N10F7

MOSFET