STMicroelectronics STU9HN65M2 MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

STU9HN65M2

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Hissə nömrəsi

STU9HN65M2

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

MDmesh™ M2

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

I-PAK

Gücün Dağılması (Maks.)

60W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

820 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

325pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26005 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STU90N4F3

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK