Taiwan Semiconductor Corporation 6A80GHB0G DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

6A80GHB0G

DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hissə nömrəsi

6A80GHB0G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Automotive, AEC-Q101

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

R6, Axial

Təchizatçı Cihaz Paketi

R-6

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1V @ 6A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 800V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

800V

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 20683 PCS

Əlaqə məlumatı