Taiwan Semiconductor Corporation ES1J R3G DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

ES1J R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hissə nömrəsi

ES1J R3G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-214AC, SMA

Təchizatçı Cihaz Paketi

DO-214AC (SMA)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.7V @ 1A

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

35ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 20761 PCS

Əlaqə məlumatı