Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B M6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

ESH3B M6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hissə nömrəsi

ESH3B M6G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-214AB, SMC

Təchizatçı Cihaz Paketi

DO-214AB (SMC)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

900mV @ 3A

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 100V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

100V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

20ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 175°C

Kapasitans @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52711 PCS

Əlaqə məlumatı