Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1006 MNG DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GPAS1006 MNG

DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Hissə nömrəsi

GPAS1006 MNG

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-263AB (D²PAK)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

10A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.1V @ 10A

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 800V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

800V

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 16176 PCS

Əlaqə məlumatı