Taiwan Semiconductor Corporation HS3B V6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

HS3B V6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hissə nömrəsi

HS3B V6G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-214AB, SMC

Təchizatçı Cihaz Paketi

DO-214AB (SMC)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 100V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

100V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

50ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29007 PCS

Əlaqə məlumatı