Taiwan Semiconductor Corporation HS3J M6G DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

HS3J M6G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hissə nömrəsi

HS3J M6G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-214AB, SMC

Təchizatçı Cihaz Paketi

DO-214AB (SMC)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.7V @ 3A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

75ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35885 PCS

Əlaqə məlumatı