Taiwan Semiconductor Corporation RS3M V6G DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RS3M V6G

DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hissə nömrəsi

RS3M V6G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-214AB, SMC

Təchizatçı Cihaz Paketi

DO-214AB (SMC)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 1000V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

500ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47327 PCS

Əlaqə məlumatı