Taiwan Semiconductor Corporation TSM600N25ECH C5G MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

Hissə nömrəsi

TSM600N25ECH C5G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-251 (IPAK)

Gücün Dağılması (Maks.)

52W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

250V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

423pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 14727 PCS

Əlaqə məlumatı