Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CI C0G MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TSM60N900CI C0G

MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

Hissə nömrəsi

TSM60N900CI C0G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Təchizatçı Cihaz Paketi

ITO-220

Gücün Dağılması (Maks.)

50W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

480pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43432 PCS

Əlaqə məlumatı