Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW C1G MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TSM60NB041PW C1G

MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Hissə nömrəsi

TSM60NB041PW C1G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247

Gücün Dağılması (Maks.)

446W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

78A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 21.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

139nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6120pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 21078 PCS

Əlaqə məlumatı