Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TSM6502CR RLG

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Hissə nömrəsi

TSM6502CR RLG

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Güc - Maks

40W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PDFN (5x6)

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

24A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26927 PCS

Əlaqə məlumatı