Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX RFG MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TSM650P02CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Hissə nömrəsi

TSM650P02CX RFG

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-23

Gücün Dağılması (Maks.)

1.56W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.1A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

515pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52388 PCS

Əlaqə məlumatı