Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F) MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

2SJ360(F)

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Hissə nömrəsi

2SJ360(F)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-243AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PW-MINI

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

730 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

155pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45437 PCS

Əlaqə məlumatı