Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BAS516,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Hissə nömrəsi

BAS516,H3F

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SC-79, SOD-523

Təchizatçı Cihaz Paketi

ESC

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

250mA

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.25V @ 150mA

Cari - Əks Sızma @ Vr

200nA @ 80V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

100V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

3ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

150°C (Max)

Kapasitans @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23686 PCS

Əlaqə məlumatı