Toshiba Semiconductor and Storage CMG06(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

CMG06(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Hissə nömrəsi

CMG06(TE12L,Q,M)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOD-128

Təchizatçı Cihaz Paketi

M-FLAT (2.4x3.8)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.1V @ 1A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-40°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12087 PCS

Əlaqə məlumatı