Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q) IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GT10J312(Q)

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Hissə nömrəsi

GT10J312(Q)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Güc - Maks

60W

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220SM

Əks Bərpa Müddəti (trr)

200ns

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

10A

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

600V

IGBT növü

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

20A

Enerjinin dəyişdirilməsi

Qapı yükü

Td (on/off) @ 25°C

400ns/400ns

Test Vəziyyəti

300V, 10A, 100 Ohm, 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 13752 PCS

Əlaqə məlumatı