Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q) IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GT60N321(Q)

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Hissə nömrəsi

GT60N321(Q)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-3PL

Güc - Maks

170W

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-3P(LH)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

2.5µs

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

60A

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

1000V

IGBT növü

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

120A

Enerjinin dəyişdirilməsi

Qapı yükü

Td (on/off) @ 25°C

330ns/700ns

Test Vəziyyəti

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27318 PCS

Əlaqə məlumatı