Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ) MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Hissə nömrəsi

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVI

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

DPAK+

Gücün Dağılması (Maks.)

27W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

19nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

890pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

+10V, -20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9173 PCS

Əlaqə məlumatı