Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TK100L60W,VQ

MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Hissə nömrəsi

TK100L60W,VQ

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

DTMOSIV

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-3PL

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-3P(L)

Gücün Dağılması (Maks.)

797W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Super Junction

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.7V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

360nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

15000pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8225 PCS

Əlaqə məlumatı