Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80W,S4X MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TK10A80W,S4X

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS

Hissə nömrəsi

TK10A80W,S4X

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

DTMOSIV

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220SIS

Gücün Dağılması (Maks.)

40W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

800V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9.5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 450µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

19nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1150pF @ 300V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15994 PCS

Əlaqə məlumatı