Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E,S4X MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TK9A90E,S4X

MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Hissə nömrəsi

TK9A90E,S4X

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

π-MOSVIII

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220SIS

Gücün Dağılması (Maks.)

50W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

900V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 900µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

46nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8394 PCS

Əlaqə məlumatı