Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH,L1Q MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TPH6400ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Hissə nömrəsi

TPH6400ENH,L1Q

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVIII-H

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOP Advance (5x5)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

13A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11.2nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1100pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36076 PCS

Əlaqə məlumatı