Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL,LQ MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Hissə nömrəsi

TPN11006NL,LQ

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVIII-H

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta), 30W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

17A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

23nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 31234 PCS

Əlaqə məlumatı