Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH,L1Q MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TPN14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Hissə nömrəsi

TPN14006NH,L1Q

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVIII-H

Hissə Vəziyyəti

Discontinued at Digi-Key

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta), 30W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

13A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1300pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 28795 PCS

Əlaqə məlumatı