Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Hissə nömrəsi
TPN1R603PL,L1Q
İstehsalçı/Brend
Serial
U-MOSIX-H
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Digi-Reel®
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
175°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
8-PowerVDFN
Təchizatçı Cihaz Paketi
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gücün Dağılması (Maks.)
104W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
30V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
10V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
41nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
3900pF @ 15V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
4.5V, 10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 45746 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərTPN1R603PL,L1Q
TPN1R603PL,L1Q Elektron komponentlər
TPN1R603PL,L1Q Satış
TPN1R603PL,L1Q Təchizatçı
TPN1R603PL,L1Q Distribyutor
TPN1R603PL,L1Q Məlumat cədvəli
TPN1R603PL,L1Q Şəkillər
TPN1R603PL,L1Q Qiymət
TPN1R603PL,L1Q Təklif
TPN1R603PL,L1Q Ən aşağı qiymət
TPN1R603PL,L1Q Axtar
TPN1R603PL,L1Q Satınalma
TPN1R603PL,L1Q Çip