Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL,L1Q MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Hissə nömrəsi

TPWR8503NL,L1Q

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVIII-H

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-DSOP Advance

Gücün Dağılması (Maks.)

800mW (Ta), 142W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

150A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

0.85 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

74nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6900pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53973 PCS

Əlaqə məlumatı